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Dépôt et caractérisation de couches minces de SiCxNy.H par CVD assistée par plasma micro-ondes ECR avec précurseurs organosiliciés
| Content Provider | Semantic Scholar |
|---|---|
| Author | Thouvenin, Amanda |
| Copyright Year | 2016 |
| Abstract | Les films a base de Si, C et N sont des materiaux multifonctionnels aux proprietes optiques, electroniques et mecaniques attractives pour des applications dans le domaine du photovoltaique et de la microelectronique entre autres. Il existe une forte dependance de ces proprietes par rapport a la structure. Ce travail de these a plusieurs objectifs. Le premier objectif est la mise au point d’un procede de depot de films minces de SiCxNy:H dans un reacteur CVD assistee par plasma micro-ondes ECR avec les precurseurs organosilicies hexamethyldisilazane (HMDSN) et tetramethylsilane (TMS). Le second objectif est la caracterisation des depots synthetises dans ce nouveau reacteur et le developpement d’outils de diagnostic afin d’etudier le depot en cours de croissance. Deux techniques de caracterisation in situ ont ete developpees. Un procede d’extraction de la ligne de base interferentielle des spectres FT-IR permet la determination des parametres optiques dans l’infrarouge (indice de refraction et epaisseur) du film sonde. Ce diagnostic est adapte aussi bien a une analyse post-depot qu’au controle de procede in situ en temps reel. De plus, la mise au point de la technique de reflectometrie a permis le suivi et le controle des depots lors de leur croissance dans le domaine visible. L’influence de la temperature de depot, du flux de precurseur et de la puissance injectee dans le plasma ainsi que le vieillissement des films a l’air ont ete etudies dans un premier temps. Ces etudes ont permis l’etablissement des parametres de depots optimaux et la determination des conditions menant aux depots les plus denses avec la meilleure resistance a l’oxydation. Dans un second temps, l’etude de l’influence du taux d’azote dans le melange gazeux a permis la synthese de films avec une composition variee allant d’un type SiC:H a un type SiN:H et ainsi d’obtenir une large gamme d’indices de refraction. Enfin, l’utilisation d’un procede de depot hybride couplant le plasma ECR micro-ondes dans un melange gazeux contenant TMS a la pulverisation d’une cible de Si, a mene a la synthese de films plus riches en silicium ameliorant la densite de liaisons Si-C et entrainant la hausse de l’indice de refraction des films |
| File Format | PDF HTM / HTML |
| Alternate Webpage(s) | http://docnum.univ-lorraine.fr/public/DDOC_T_2016_0196_THOUVENIN.pdf |
| Alternate Webpage(s) | https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01527978/document |
| Alternate Webpage(s) | https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01527978/file/DDOC_T_2016_0196_THOUVENIN.pdf |
| Language | English |
| Access Restriction | Open |
| Content Type | Text |
| Resource Type | Article |
