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Dépôt de couches minces de silicium à grande vitesse par plasma MDECR.
| Content Provider | Semantic Scholar |
|---|---|
| Author | Dao, Thien Hai |
| Copyright Year | 2007 |
| Abstract | Dans cette these, les caracteristiques des plasmas MDECR ont ete etudiees en utilisant des mesures d'emission optique (OES), de spectroscopie de masse (QMS) et de sonde Langmuir plane. Ces techniques combinees avec des observations sur la pression avec et sans plasma nous ont permis de construire une image assez claire sur les proprietes chimiques et physiques des plasmas MDECR, notamment des plasmas de silane. A cause des conditions de fonctionnement a faible pression (~ mTorr), grande puissance (~kW) et a cause du confinement electronique du a l'effet ECR, la distribution electronique dans le plasma est divise en deux familles : une famille d'electrons rapides et une autre d'electrons froids. Les mesures OES des plasmas d'argon et de silane ont montre le confinement des electrons rapides dans les zones ECR autour de chaque antenne, toute la chimie du plasma (la dissociation, l'excitation et l'ionisation) se produit essentiellement dans ces zones. Les mesures par sonde Langmuir plane ont montre que la temperature des electrons froids est dans la gamme 1-2 eV qui est en bon accord avec les resultats de l'equipe de S. Bechu. Ces mesures (OES, QMS, sonde Langmuir) et les mesures de la pression ont montre la presence tres importante d'hydrogene atomique et ionique dans un plasma de silane. Les mesures de spectroscopie de masse ont montre que dans un plasma de silane, la presence des radicaux et d'ions a base de Si, SiH et SiH2 est aussi importante que celle des radicaux SiH3. La contribution de ces radicaux et ions avec un grand coefficient de collage a la croissance du film a egalement ete observee par des etudes de depot a travers un masque contenant des petits orifices. Toutes les mesures ont montre que pour un plasma de silane, un rapport «puissance totale/debit du gaz» faible est favorable a la formation de radicaux SiH3, tandis qu'un rapport «puissance/debit du gaz» grand rend le rapport [SiH*]/[Hα] petit. Cela suggere que les conditions de fortes puissances, faibles debits de silane favorisent le depot du materiau microcristallin tandis que les conditions de faibles puissances, forts debits de gaz devraient favoriser la formation d'un materiau amorphe. |
| File Format | PDF HTM / HTML |
| Alternate Webpage(s) | https://pastel.archives-ouvertes.fr/pastel-00003255/document |
| Language | English |
| Access Restriction | Open |
| Content Type | Text |
| Resource Type | Article |
