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Développement de procédés plasma pour l'élaboration et la caractérisation du silicium photovoltaïque : dépôt de couches minces épitaxiées de silicium par PECVD : mesure de la pureté du silicium à l'état solide ( 20°C) et liquide (1414°C) par LIBS
| Content Provider | Semantic Scholar |
|---|---|
| Author | Benrabbah, Rafik |
| Copyright Year | 2015 |
| Abstract | Aujourd’hui, le principal facteur limitant le photovoltaique est le prix eleve du kWh produit par les modules PV. Pour faire face a cette difficulte, les recherches actuelles se concentrent autour de plusieurs leviers et solutions alternatives : la reduction du cout energetique avec notamment la reduction du cout de la matiere premiere, qui consiste en la diminution de l’epaisseur des wafers de silicium, ou encore l’elaboration de cellules en couches minces de silicium. Ce dernier procede a pour but de s’affranchir de l’etape de sciage des blocs de silicium, necessaire pour la realisation de plaquette photovoltaique de faible epaisseur. C’est cette derniere approche qui nous a conduits a proposer un procede d’elaboration de couches minces a l’aide d’un plasma et du chauffage du substrat. Par ailleurs, quel que soit le procede choisi pour atteindre la cristallinite et la purete exigees pour le grade solaire, il est necessaire de disposer de technique analytique multielementaire pour controler l’evolution de la purete en fonction des parametres. La LIBS que nous avons developpee au laboratoire offre l’opportunite de repondre a ces attentes : tres basses limites de detection tout en permettant un suivi en ligne du silicium a l’etat solide ou en fusion. |
| File Format | PDF HTM / HTML |
| Alternate Webpage(s) | https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01186076/document |
| Alternate Webpage(s) | https://core.ac.uk/download/pdf/46814237.pdf |
| Language | English |
| Access Restriction | Open |
| Content Type | Text |
| Resource Type | Article |
