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Traction électrique automobile : convertisseur BOOST à base de composants silicium IGBT et CoolMOSTM fonctionnant à 200°C
| Content Provider | Semantic Scholar |
|---|---|
| Author | Roder, R. Azzopardi, Stephane Briat, Olivier Henaff, F. Le Vinassa, Jean-Michel Bontemps, S. |
| Copyright Year | 2014 |
| Abstract | Ce papier presente une etude de faisabilite concernant l'utilisation des composants a semi-conducteur de puissance en silicium (Si-IGBT, Si-CoolMOSTM) a une temperature de jonction elevee dans un convertisseur BOOST (200V a 450V) pour l'application de traction electrique automobile. Le frittage par pâte d'argent a ete utilise pour le procede de report des puces sur des substrats DBC afin de garantir la meilleure conduction thermique entre la puce et le substrat. Les caracteristiques electriques en regime statique (claquage, courant de fuite, tension de seuil et chute de tension a l'etat passant) et les caracteristiques dynamiques (temps de commutation a l'ouverture, temps de commutation a la fermeture et pertes en commutation) de chaque composant sont etudiees sur une large gamme de temperature (de -50°C jusqu'a 200°C). Dans chaque cas, une comparaison est faite avec un composant SiC-MOSFET, pris comme composant de reference pour les hautes temperatures. Finalement chaque composant est teste dans un convertisseur BOOST 200V-450V@200W pour evaluer le rendement du convertisseur pour une temperature de jonction de 200°C. |
| File Format | PDF HTM / HTML |
| Alternate Webpage(s) | http://actes.sge-conf.fr/2014/articles/article_29349.pdf |
| Alternate Webpage(s) | https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01065380/document |
| Language | English |
| Access Restriction | Open |
| Content Type | Text |
| Resource Type | Article |