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Direct Synthesis of Nitrogen-doped Graphene on the Insulating Substrate Using Solid Phase Reaction
| Content Provider | Semantic Scholar |
|---|---|
| Author | Sugiura, Takatoshi Wakamatsu, Yuji Kalita, Golap Tanemura, Masaki |
| Copyright Year | 2016 |
| Abstract | 【はじめに】グラフェンはナノカーボン材料の一つであり、優れた特性からトランジスタや集積 回路、透明導電膜といった様々な分野への応用が期待されている。しかしデバイス化には様々な 問題点を抱えておりその一つがグラフェンの特徴でもあるゼロバンドギャップと転写プロセスで ある。これまでに我々は PVA(Polyvinyl Alcohol) を用いて酸化物基板上へのグラフェンの無転写直 接合成を報告している[1-3]。本研究では炭素源としてイミダゾール(Imidazole)を用いることで、窒 素ドープグラフェンの無転写直接合成を試みた。 【実験】スピンコート法により SiO2基板上にイミダゾールを成膜した後、その上に触媒金属であ る Ni 膜を成膜した。次に真空中で加熱・冷却しグラフェンを成長させ、最後に表面の Ni を除去 した。形成されたグラフェンの解析には X 線光電子分光法(XPS)を用いた。 【結果】スピンコートイミダゾール表面に約 150nmの Ni膜を形成した後、900°Cで 30分の真空 加熱を行い、最後に室温まで自然冷却を行うことにより形成されたグラフェンの、C1sの XPSス ペクトルを図.1に、N1sの XPSスペクトルを図.2に示す。XPS より窒素が 4at%以上含有してい ることが確認された。以上のようにイミダゾールを炭素源として用いることで、固相反応法から 窒素ドープグラフェンの直接合成が確認された。 |
| File Format | PDF HTM / HTML |
| Alternate Webpage(s) | https://confit.atlas.jp/guide/event-img/jsap2016s/20p-S011-12/public/pdf?type=in |
| Language | English |
| Access Restriction | Open |
| Content Type | Text |
| Resource Type | Article |
