Direct Synthesis of N doped Graphene by Solid Phase Reaction with Cu-Ni catalyst

Content Provider	Semantic Scholar
Author	Wakamatsu, Yuji Sugiura, Takatoshi Kalita, Golap Tanemura, Masaki
Copyright Year	2016
Abstract	【序論】グラフェンはカーボンナノ材料の一種であり,優れた電気特性などから半導体分野でシ リコンに代わる材料として期待されている.これまでに我々は固相反応法による基板上へのグラ フェンの直接成長について報告してきた[1-3].本研究ではグラフェンをn型半導体として利用する ために,触媒金属に白銅(Cu-Ni)を用い,炭素源にイミダゾール(Imidazole)を用いた欠陥の少 ない窒素ドープグラフェンの直接成長を試みた. 【実験】スピンコート法を用いてSiO2基板上にイミダゾールを成膜し,その上にレーザーアブレ ーション法を用いて白銅を約100nm堆積させた.その後,作製した試料を赤外線加熱装置により 真空中で加熱・冷却しグラフェンを成長させ,最後に表面の白銅を硝酸によって取り除いた.形 成されたグラフェンをラマン分光法とX線光電子分光法(XPS)等により解析した. 【結果】イミダゾール成膜した試料を1000°Cで30分間真空加熱を行い,その後室温までの自然冷 却によって形成されたグラフェンのラマンスペクトルを図1に示す.触媒金属にNiを用いたものに 比べ欠陥の少ないものであった[4].図2にC1sの,図3にN1sのXPSスペクトルを示す.XPSによる 組成分析より窒素含有量は約4.4at%とNiの場合の約3.8at%より多く含有されていた.以上より触媒 金属に白銅を用いることで欠陥の少ない窒素ドープグラフェンの作製が可能であると結論された.
File Format	PDF HTM / HTML
Alternate Webpage(s)	https://confit.atlas.jp/guide/event-img/jsap2016a/13p-P5-27/public/pdf?type=in
Language	English
Access Restriction	Open
Content Type	Text
Resource Type	Article