Direct Synthesis of Graphene on the Substrate by Solid Phase Reaction with Ge catalyst

Content Provider	Semantic Scholar
Author	Wakamatsu, Yuji
Copyright Year	2015
Abstract	【序論】グラフェンはカーボンナノ材料の一種であり,優れた電気特性などから半導体分野でシ リコンに代わる材料として期待されている.しかし,化学気相合成法などの通常の合成法では, 転写によりグラフェンに欠陥が生じるなどの問題があり,デバイス応用への課題となっている. 本研究の目的は,転写を行うことなく,基板上にグラフェンを直接合成することである.これま でに我々は,遷移金属を触媒金属に用いた基板上へのグラフェンの合成を報告した[1,2].本研究 では触媒金属に Geを用いることで,欠陥由来のピーク比 D/Gの改善を試みた. 【実験】レーザーアブレーション法を用いてシリコン基板上に a-C を,さらにその上に Ge を約 100nm 堆積させた.その後,作製した試料を赤外線加熱装置により真空中で加熱・冷却を行い, グラフェンを成長させた.最後に表面の Geを硝酸によって取り除き,形成されたグラフェンをラ マン分光法により解析した. 【結果】800°Cで 15 分真空加熱を行い,その後自然冷却によって基板の冷却を行うことで合成さ れたグラフェン(ただし微小領域であった)と,触媒金属に Coを用いて合成されたグラフェンの ラマンスペクトルを図 1に示す.また,表 1にグラフェンの指標となるピーク比 D/Gと 2D/Gの 結果を示す.本結果より,グラフェンと比較的近い熱膨張係数を持つ Geを使うことで欠陥由来の ピーク比 D/Gを小さくできることが確認された.
File Format	PDF HTM / HTML
Alternate Webpage(s)	https://confit.atlas.jp/guide/event-img/jsap2015a/16a-PA2-8/public/pdf?type=in
Language	English
Access Restriction	Open
Content Type	Text
Resource Type	Article