NDLI: Mécanismes de formation des boîtes quantiques semiconductrices, application aux nanostructures II-VI et étude de leurs propriétés optiques

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Mécanismes de formation des boîtes quantiques semiconductrices, application aux nanostructures II-VI et étude de leurs propriétés optiques

Content Provider	Semantic Scholar
Author	Tinjod, F.
Copyright Year	2003
Abstract	Mecanismes de formation des boites quantiques semiconductrices, application aux nanostructures II-VI (puits et boites) et etude de leurs proprietes optiques Ce travail presente un modele de croissance heteroepitaxiale a l'equilibre mettant en evidence les principaux parametres qui gouvernent la relaxation des contraintes. Le mode effectif de croissance resulte de la competition entre la relaxation plastique (dislocations a l'interface) et l'elastique (ilots en surface). Dans les semiconducteurs II-VI, le faible cout en energie a former des dislocations favorise la relaxation plastique. Nous avons par consequent developpe une procedure de croissance qui court-circuite la relaxation plastique (grâce a l'abaissement du cout en energie de surface pour creer des facettes) et induit donc la formation de boites quantiques CdTe sur Zn(Mg)Te. Celles-ci sont etudiees en diffraction d'electrons en incidence rasante, microscopie a force atomique et, une fois encapsulees, spectroscopie optique. L'incorporation de magnesium dans les barrieres ameliore les proprietes optiques tant des boites que des puits grâce a un meilleur confinement des trous. Mots clefs : semiconducteurs II-VI, epitaxie par jets moleculaires, relaxation des contraintes, puits quantiques, boites quantiques, spectroscopie optique.
File Format	PDF HTM / HTML
Alternate Webpage(s)	https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00003965/document
Language	English
Access Restriction	Open
Content Type	Text
Resource Type	Article

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