Loading...
Please wait, while we are loading the content...
Similar Documents
Jonctions ultra-minces p+/n pour MOS "ultimes étude de l'impact des défauts sur la mobilité et l'activation du bore
| Content Provider | Semantic Scholar |
|---|---|
| Author | Sévérac, Fabrice |
| Copyright Year | 2009 |
| Abstract | La realisation des transistors MOS de taille "ultime" necessite la fabrication de jonctions source et drain ultra-minces (quelques dizaines de nanometres), abruptes et fortement dopees. L'optimisation du procede de fabrication de ces jonctions necessite la comprehension des phenomenes physiques qui interviennent lors des differentes etapes de fabrication, en particulier l'impact des defauts cristallins sur leurs parametres electriques. Dans ce travail, nous avons etudie l'impact des precipites de bore (BICs, Boron-Interstitial Clusters) mais aussi des defauts EOR (End-Of-Range), sur la mobilite des porteurs et l'activation des dopants (principalement le bore dans le silicium). Tout d'abord, nous avons developpe un modele d'analyse mathematique base sur le profil de concentration des dopants mesure par SIMS et sur les valeurs " standards " de mobilite des porteurs. Ce modele permet de determiner par le calcul les trois parametres electriques mesures par effet Hall : la resistance carree, la dose active de dopants et la mobilite des porteurs. A partir de l'utilisation de ce modele, nous demontrons qu'en presence de BICs, il s'avere necessaire de modifier la valeur d'un facteur correctif, le facteur de scattering, essentiel pour les mesures par effet Hall, et nous determinons sa valeur. Nous mettons ensuite en evidence la degradation de la mobilite des porteurs par les BICs, puis etudions de maniere plus quantitative l'evolution de cette degradation en fonction de la quantite de BICs. Par la suite, une etude sur l'activation du bore en presence de defauts EOR est menee. Enfin, nous elargissons notre etude sur ces memes parametres electriques au cas de nouveaux materiaux tels que le SOI (Silicon-On-Insulator) ou le SiGe (alliage silicium/germanium), materiaux utilises pour les dernieres generations de transistors. |
| File Format | PDF HTM / HTML |
| Alternate Webpage(s) | https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00390908/document |
| Language | English |
| Access Restriction | Open |
| Content Type | Text |
| Resource Type | Article |
