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Modélisation CEM d'un convertisseur de puissance utilisant des transistors GaN
| Content Provider | Semantic Scholar |
|---|---|
| Author | Gautier, Cyrille Costa, François Hoffmann, Léon-François. |
| Copyright Year | 2016 |
| Abstract | Les composants de puissance a grand gap, SiC ou GaN, permettent d'atteindre de meilleures performances que les composants silicium (IGBT ou MosFet a superjonction), qui se traduisent par des temps de com-mutation plus faibles, des fonctionnements a frequences de decoupage plus importantes, ou des comportements en temperature plus interessants. Ces deux premiere caracteristiques ont une incidence fondamentale sur le comportement CEM des convertisseurs utilisant ces com-posants. Cet article presente la modelisation CEM d'un convertisseur de puissance a base de composants GaN (EPC 2010, 200V 12A). Nous allons d'abord decrire le modele du transistor adapte a de la modelisation CEM, pour ensuite presenter les mesures effectuees sur un bras de pont compose de deux transistors eGaN FETs, et enfin etudier du point de vue CEM les perturbations conduites generees par une structure LLC a base de transistors GaN fonctionnant a 1 MHz. |
| File Format | PDF HTM / HTML |
| Alternate Webpage(s) | https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01735900/document |
| Language | English |
| Access Restriction | Open |
| Content Type | Text |
| Resource Type | Article |
