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Etude CEM d'un module de puissance à HEMT GaN
| Content Provider | Semantic Scholar |
|---|---|
| Author | Liu, Xiaoshan Costa, François |
| Copyright Year | 2016 |
| Abstract | Un module de puissance constitue d'un bras d'onduleur utilisant des HEMTs GaN 650V/30A sur substrat PCB a ete etudie et fabrique en prenant en consideration le placement de condensateurs ceramique pour le decouplage des perturbations in-module. Les resultats experimentaux ont montre que ces condensateurs de decouplage ont reduit effectivement les perturbations de mode differentiel et de mode commun dans la bande de frequence des perturbations conduites jusqu'a celle des perturbations rayonnees. La modelisation et les simulations temporelles ont ete etudiees pour reconstruire les resultats experimentaux. Le placement des capacites de decouplage de mode commun a ete discute. Enfin une strategie du filtrage in-module a ete proposee. |
| File Format | PDF HTM / HTML |
| Alternate Webpage(s) | http://actes.sge-conf.fr/2016/articles/article_83613.pdf |
| Language | English |
| Access Restriction | Open |
| Content Type | Text |
| Resource Type | Article |