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Etude des phénomènes de transport de porteurs et du bruit basse fréquence en fonction de la température dans les transistors MOSFETs nanométriques (FinFETs)
| Content Provider | Semantic Scholar |
|---|---|
| Author | Talmat, Rachida |
| Copyright Year | 2011 |
| Abstract | Au cours de cette these, des mesures en regime statique et en bruit ont ete effectuees sur des transistors FinFETs realises sur substrat SOI, issus de la technologie 32 nm, ayant deux differents isolants de grille. L’un est l’oxyde d’hafnium (HfO2) et le second est le silicate d’hafnium nitrure (HfSiON). La plupart de ces dispositifs ont subi des techniques de contrainte mecanique locales et globales. Les resultats de mesures en statique ont montre l’amelioration considerable des performances dans les transistors contraints par rapport aux transistors standards. Il a ete montre que ces transistors contraints semblent etre moins sensibles a la variation de la temperature (300 K - 475 K) indiquant un autre atout de l’ingenierie des contraintes. Les resultats de mesures de bruit ont permis d’evaluer la qualite de l’isolant de ces dispositifs, le silicate d’hafnium nitrure semble avoir une meilleure qualite. L’etude du bruit a permis aussi d’apporter des informations sur le transport ainsi que sur les mecanismes physiques qui generent le bruit en 1/f dans ces dispositifs. On n’a remarque aucun impact significatif des contraintes mecaniques sur le niveau du bruit. Le mecanisme qui predomine dans ces dispositifs est le mecanisme des fluctuations de nombre de porteurs dans les type n et type p. Les mesures de bruit en fonction de la temperature (100 K – 300 K) ont permis d’identifier des defauts, souvent lies a la technologie de fabrication, dans le film de silicium par la methode de spectroscopie de bruit. |
| File Format | PDF HTM / HTML |
| Alternate Webpage(s) | https://hal.archives-ouvertes.fr/tel-01076455/document |
| Language | English |
| Access Restriction | Open |
| Content Type | Text |
| Resource Type | Article |
