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Caractérisation des transistors à nanocristaux de silicium et des transistors SON par les techniques de bruit basse fréquence et de bruit télégraphique
| Content Provider | Semantic Scholar |
|---|---|
| Author | Trabelsi, M'Hamed |
| Copyright Year | 2009 |
| Abstract | La demande croissante en electronique a stimule sans cesse le developpement de nouveaux type de composants de petite taille qui necessite la reduction de certains parametres critiques qui est une solution fiable pour certains problemes. L'obtention des dispositifs a nanocristaux de silicium par la technologie CMOS et des dispositifs a canal de conduction completement isole du substrat par la technologie SON (Silicon On Nothing) souffrent encore des effets parasites qui penalisent leurs fonctionnement. En effet, la presence d’un defaut localise a l’interface oxyde de grille/canal de ces dispositifs provoque l’apparition de certaines fluctuations indesirables dans leurs caracteristiques de sorties. L’objectif de travail de cette these a ete d’analyser les defauts electriquement actifs localises a l’interface oxyde-canal, sur des transistors a notre disposition par deux techniques differentes dans le but d’identifier les effets parasites qui peuvent penaliser leurs bons fonctionnements. Cette etude comporte deux parties principales. Dans la premiere partie, l’etude des caracteristiques des sorties statiques de nos echantillons nous a permis d’expliquer l’origine des non idealites de ces caracteristiques d’une part et de voir l’evolution de la conduction en fonction de la tension de polarisation et de la temperature d’autre part. Dans une seconde partie, par des mesures de caracterisation effectuees par la technique de bruit basse frequence et la technique de bruit telegraphique (Random Telegraph Signal) nous avons pu analyser les defauts electriquement actifs localises a l’interface oxyde de grille/canal de conduction, et remonter aux differentes signatures des pieges (temps d’emission, temps de capture, energie d’activation, amplitude de bruit, localisation spatiale) ainsi que leurs evolutions en fonction de la tension de polarisation et de la temperature. Ces etudes nous ont permis de mettre en evidence l’effet des centres pieges les caracteristiques de sortie, elles constituent une piste pour choisir ou corriger les methodes d’elaboration de ces composants. |
| File Format | PDF HTM / HTML |
| Alternate Webpage(s) | http://theses.insa-lyon.fr/publication/2009ISAL0003/these.pdf |
| Language | English |
| Access Restriction | Open |
| Content Type | Text |
| Resource Type | Article |
