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Intégration monolithique sur silicium d'émetteurs de lumière à base de GaAs par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques sur pseudo-substrat de Ge/Si
| Content Provider | Semantic Scholar |
|---|---|
| Author | Chriqui, Yves |
| Copyright Year | 2004 |
| Abstract | L'integration monolithique de GaAs sur Si permettrait la realisation de sources de lumiere sur Si pour des applications notamment dans les interconnexions optiques ou les cellules solaires a haut rendement et faible cout. Toutefois, les differences intrinseques entre les deux materiaux conduisent a l'apparition de defauts dans la couche de GaAs (dislocations, fissures, parois d'inversion). Nous demontrons que l'utilisation de pseudo-substrats, constitues d'une couche tampon de Ge sur un substrat de Si, combinee a l'insertion d'un super-reseau par epitaxie par couche atomique (ALE) en debut de croissance permet d'obtenir du GaAs avec de bonnes proprietes optiques. Des dispositifs emetteurs de lumiere (DEL, laser, diode a emission par la surface) a base de puits et de boites quantiques ont ete realises. Leurs caracteristiques ont ete etudiees et comparees a des structures de reference sur substrat de GaAs pur. |
| File Format | PDF HTM / HTML |
| Alternate Webpage(s) | https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00008758/document |
| Language | English |
| Access Restriction | Open |
| Content Type | Text |
| Resource Type | Article |