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Croissance d'hétérostructures à base de GaN sur substrat de silicium orienté (001): applications aux transistors à haute mobilité d'électrons
| Content Provider | Semantic Scholar |
|---|---|
| Author | Joblot, Sylvain |
| Copyright Year | 2007 |
| Abstract | L'hetero-epitaxie de structures a base de GaN est realisee, depuis les annees 1990, principalement sur trois types de substrat : le carbure de silicium (SiC), le saphir (Al2O3) et le silicium (Si). Ce dernier possede les avantages d'une conductivite thermique identique a celle du GaN, d'une grande disponibilite, de tailles pouvant aller jusqu'a 12'' et de couts tres competitifs induits par l'activite sans egale de la filiere silicium. L'orientation (111) du silicium etait preferee jusqu'alors pour l'hetero-epitaxie de structures a base de GaN de par sa symetrie de surface hexagonale compatible a la phase stable wurtzite du GaN. Neanmoins, en vu d'une integration monolithique de futurs composants a base de GaN au cote de circuits integres de technologie MOS, les orientations de predilections de la filiere silicium (001) et (110), avec leur symetrie de surface carree et quadratique respectivement, sont preferees. Ce travail de these a donc eu pour objectif la mise au point d'un procede de croissance de structures (Al,Ga)N sur l'orientation (001). Nous montrerons que l'utilisation de substrats desorientes suivant la direction [110] cumulee a une preparation de surface et un procede de croissance specifique nous ont permis d'obtenir des couches de GaN wurtzite, malgre la symetrie carree du plan (001), avec une unique orientation cristalline par epitaxie par jets moleculaires (EJM) et epitaxie en phase vapeur d'organometallique (EPVOM). Nous developperons egalement, comment, par l'insertion de plusieurs alternances AlN/GaN, il nous a ete possible d'obtenir par EJM des structures HEMTs AlGaN/GaN non fissurees avec des proprietes proches de celles obtenues sur l'orientation (111). |
| File Format | PDF HTM / HTML |
| Alternate Webpage(s) | https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00396384/document |
| Language | English |
| Access Restriction | Open |
| Content Type | Text |
| Resource Type | Article |
