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Etude de la variabilité en technologie FDSOI : du transistor aux cellules mémoires SRAM
| Content Provider | Semantic Scholar |
|---|---|
| Author | Mazurier, J. |
| Copyright Year | 2012 |
| Abstract | La miniaturisation des transistors MOSFETs sur silicium massif presente de nombreux enjeux en raison de l'apparition de phenomenes parasites. Notamment, la reduction de la surface des dispositifs entraine une degradation de la variabilite de leurs caracteristiques electriques. La technologie planaire totalement desertee, appelee communement FDSOI (pour Fully Depleted Silicon on Insulator), permet d'ameliorer le controle electrostatique de la grille sur le canal de conduction et par consequent d'optimiser les performances. De plus, de par la presence d'un canal non dope, il est possible de reduire efficacement la variabilite de la tension de seuil des transistors. Cela se traduit par un meilleur rendement et par une diminution de la tension minimale d'alimentation des circuits SRAM (pour Static Random Access Memory). Une etude detaillee de la variabilite intrinseque a cette technologie a ete realisee durant ce travail de recherche, aussi bien sur la tension de seuil (VT) que sur le courant de drain a l'etat passant (ISAT). De plus, le lien existant entre la fluctuation des caracteristiques electriques des transistors et des circuits SRAM a ete experimentalement analyse en detail. Une large partie de cette these est enfin dediee a l'investigation de la source de variabilite specifique a la technologie FDSOI : les fluctuations de l'epaisseur du film de silicium. Un modele analytique a ete developpe durant cette these afin d'etudier l'influence des fluctuations locales de TSi sur la variabilite de la tension de seuil des transistors pour les nœuds technologiques 28 et 20nm, ainsi que sur un circuit SRAM de 200Mb. Ce modele a egalement pour but de fournir des specifications en termes d'uniformite σTsi et d'epaisseur moyenne µTsi du film de silicium pour les prochains nœuds technologiques. |
| File Format | PDF HTM / HTML |
| Alternate Webpage(s) | https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00845680/document |
| Alternate Webpage(s) | http://www.theses.fr/2012GRENT058/document |
| Language | English |
| Access Restriction | Open |
| Content Type | Text |
| Resource Type | Article |
