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Caracterización de capas de GaAs/Si crecidas por el método conforme
| Content Provider | Semantic Scholar |
|---|---|
| Author | Martínez, Ocaña Ardilla, A. M. Jimenez, Jean |
| Copyright Year | 2006 |
| Abstract | El crecimiento conforme de capas de GaAs consiste en un crecimiento epitaxial lateral confinado del material III-V sobre un substrato de silicio, usando semillas orientadas de GaAs. El crecimien-to vertical es controlado por una mascara dielectrica que sobresale sobre una cavidad obtenida por ataque quimico. Los estudios opticos de las estructuras de GaAs asi obtenidas, fueron realizados por espectroscopia micro-Raman (µR) y cathodoluminiscencia (CL). Estas tecnicas revelaron va-riaciones locales de la intensidad de la luminiscencia en forma de rayas paralelas y perpendiculares a la semilla de GaAs. El analisis morfologico complementario fue realizado usando interferometria optica en el modo de contraste de fase. Se sugiere que inhomogeneidades locales de la tension pueden desempenar un papel importante en la formacion de estados de mitad de banda, responsa-bles de las variaciones locales de la intensidad de la luminiscencia. El autodopado tambien fue re-velado por los espectros de CL y del µ-R. |
| Starting Page | 117 |
| Ending Page | 120 |
| Page Count | 4 |
| File Format | PDF HTM / HTML |
| Volume Number | 38 |
| Alternate Webpage(s) | http://www.revcolfis.org/publicaciones/vol38_1/articulos/pdf/3801117.pdf |
| Language | English |
| Access Restriction | Open |
| Content Type | Text |
| Resource Type | Article |