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Caracterización estructural de capas epitaxiadas de InAlAs/InGaAs crecidas sobre sustratos {111} de InP
| Content Provider | Semantic Scholar |
|---|---|
| Author | Rovira, Albert Vilà Peiró, Francesca Cornet, Albert Morante, Juan Ramon |
| Copyright Year | 1997 |
| Abstract | Se ha analizado por microscopia electronica en transmision (TEM) la estructura de transistores HEMT basados en un pozo cuantico tensionado de InGaAs/InAlAs crecido sobre un sustrato {111} de InP. Se han observado dislocaciones filiformes y defectos planares que cruzan la capa superior hacia la superficie, asi como maclas paralelas a la interficie y grandes complejos defectivos en forma de V que se nuclean unos pocos nanometres por encima de la interficie entre el pozo cuantico y la capa superior que lo confina. La estructura de los defectos es muy diferente de la observada en heteroestructuras similares crecidas sobre sustratos {100}, hecho que sugiere que hay que tener en cuenta consideraciones sobre el proceso mismo de nucleacion de los defectos junto con las convencionales relacionadas con el desajuste de redes. |
| Starting Page | 275 |
| Ending Page | 278 |
| Page Count | 4 |
| File Format | PDF HTM / HTML |
| Volume Number | 36 |
| Alternate Webpage(s) | http://diposit.ub.edu/dspace/bitstream/2445/65455/1/118049.pdf |
| Language | English |
| Access Restriction | Open |
| Content Type | Text |
| Resource Type | Article |