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Impact of Gate Delay Time in InGaAs-HEMTs Operated in a Class-F Amplifier
| Content Provider | Semantic Scholar |
|---|---|
| Author | Yoshida, Tomohiro |
| Copyright Year | 2014 |
| Abstract | 研究の背景と目的 InGaAs系HEMTはミリ波・サブミリ波帯の応用のためのデバイスとして注目されてい る。そのような高周波領域では,寄生容量に起因した寄生遅延時間(τp)が高周波特性に影響を与えること が報告されている[1]。過去に我々は T型ゲート脚部の高さが τpに与える影響を報告している[2]。本発表 では,60 GHz帯 F級増幅器[3]におけるダイナミック負荷線にそって τpの影響を調べた結果,低ドレイン バイアス領域において,ドレインコンダクタンス(gd)が τpに対して大きな影響を与えていることを見出したの でこれを報告する。 デバイス概略・測定結果 まず,60GHz 帯 F 級増幅 器の設計に用いた出力特性を Fig. 1に示す。図中実 線は出力容量の影響を取り除いたダイナミック負荷線 を示し,図中の点は動作の中心点を示している。さら に,図中の矢印は Fig. 2 における高周波測定でのバ イアス点である。また,挿入図は設計された増幅器の 概略図である。T 型ゲート脚部の高さが異なる 4 種類 の HEMT について,各バイアス点における τpと gdの 依存性を Fig. 2に示す。図中の破線は,各 HEMTに ついての近似直線である。本結果より,gdが τpに対し 大きな影響を与えている事がわかる。また,この影響 は Vd < 0.14V以下の領域で顕著であった。gdと τpの 依存性に関して,この近似直線と T型ゲート脚部の高 さについて明確な依存関係は見られなかった。 考察 本結果は, 今後の F 級増幅器の高性能化を 考えた時に,低バイアス領域における gd 削減の重要 性を示している。そのための対策として,ゲート・チャ ネル間距離の短縮や,ソース抵抗の低減によりニー 電圧を低下させることが重要である。今後は,低バイ アス領域での遅延時間が回路の動作周波数に与える 影響の見積もりが課題となる。 謝辞 本研究の一部は総務省 SCOPEおよび東北大 通研共同プロジェクト研究の支援を受けた。本研究は 東北大通研附属ナノ・スピン実験施設にて行われた。 |
| File Format | PDF HTM / HTML |
| Alternate Webpage(s) | https://confit.atlas.jp/guide/event-img/jsap2014a/17a-A27-5/public/pdf?type=in |
| Language | English |
| Access Restriction | Open |
| Content Type | Text |
| Resource Type | Article |
