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Contribution à l'épitaxie des nitrures d'aluminium et de bore par dépôt chimique en phase vapeur à haute température
| Content Provider | Semantic Scholar |
|---|---|
| Author | Coudurier, Nicolas |
| Copyright Year | 2014 |
| Abstract | Cette these se place dans le contexte des recherches menees sur l'elaboration de support de haute qualite cristalline pour des applications optoelectronique et piezoelectrique. Les nitrures d'aluminium, AlN, et de bore, BN sont deux materiaux presentant des proprietes physiques interessantes pour leurs utilisations en tant que substrat et partiellement comme couche active dans de telles applications. Les objectifs de cette these etaient de continuer les travaux en cours sur l'heteroepitaxie d'AlN (avec le melange H2 – NH3 – AlCl3 en phase gazeuse) sur substrat saphir et silicium, et d'explorer la croissance de BN par depot chimique en phase vapeur (CVD) a haute temperature avec une chimie chloree (melange.H2 – NH3 – BCl3 en phase gazeuse). Des etudes thermodynamiques ont ete menees pour evaluer les equilibres ayant lieu entre la phase gazeuse et les materiaux en presence sur une large gamme de temperature. Ces premiers resultats ont permis d'en deduire des conditions operatoires favorables afin d'eviter toutes reactions parasites qui nuiraient a la croissance des nitrures. Plusieurs etudes experimentales ont ete effectuees sur les reacteurs du SIMaP. Une etude de l'influence du ratio N/Al dans la phase gazeuse sur la croissance d'AlN a ete entreprise. Par la suite les mecanismes de croissance de ces couches sont expliques afin de comprendre l'effet de ce parametre. Suite a cela, des depots avec plusieurs etapes de croissances a differente temperature ont permis l'obtention de couches d'AlN peu fissurees, peu contraintes et avec des qualites cristallines satisfaisantes. Concernant le depot de BN, des essais ont ete menes sur substrats AlN et metalliques (chrome et tungstene). A haute temperature (1600 °C), le depot sur AlN a permis l'obtention de couche turbostratique peu desorientee. La croissance sur substrats metalliques a ete effectuee a basse temperature, ne favorisant pas l'epitaxie de BN sur ces substrats. Enfin, des comparaisons ont ete menees entre temperature de depot, vitesse de croissance des couches et sursaturation de la phase gazeuse, permettant la delimitation de domaine de conditions operatoire ou l'epitaxie est favorisee. |
| File Format | PDF HTM / HTML |
| Alternate Webpage(s) | https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00994936/document |
| Language | English |
| Access Restriction | Open |
| Content Type | Text |
| Resource Type | Article |
