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Spectroscopie optique de boîtes quantiques d’InAs sur substrats d’InP et de GaAs nanopixel semiconducteur pour l’étude de l’influence d’un champ électrique
| Content Provider | Semantic Scholar |
|---|---|
| Author | Ray-Djondang, Raïssa |
| Copyright Year | 2010 |
| Abstract | Les boites quantiques suscitent un vif interet pour leurs potentialites d'applications aussi bien dans les dispositifs optoelectroniques que dans le domaine de la nanophotonique. Dans cette these, nous etudions par spectroscopie optique les boites quantiques du systeme lnAs/lnP et lnAs/GaAs obtenus par epitaxie a jets moleculaires selon le mode Stransky-Krastanov, en vue de les integrer dans une structure polarisee. Il est necessaire de mettre au point un procede technologique permettant de fabriquer les nanopixels pour observer l'effet d'une tension appliquee sur ces boites quantiques. Dans le cas du systeme lnAs/lnP, nous etudions les deux voies de croissance explorees a I'INL pour fabriquer les boites quantiques dans ce systeme : celle de la coalescence de bâtonnets pour l'obtention de boites quantiques en faible densite emettant aux longueurs d'onde des telecommunications optiques, et celle de la croissance directe pour l'obtention de boites quantiques en forte densite. Nous nous interessons a l'effet du «double cap » sur l'energie d'emission, l'influence d la premiere couche cap, le maintien de la luminescence avec la temperature, le systeme exciton biexciton. Dans le cas du systeme lnAs/GaAs, nous etudions l'influence de l'epaisseur de la couche d'encapsulation, les niveaux excites, le maintien de la luminescence avec la temperature et le systeme exciton biexciton. Nous presentons enfin les premiers resultats de mesures de microPL sous champ electrique obtenus dans des boites quantiques uniques d'lnAs/GaAs |
| File Format | PDF HTM / HTML |
| Alternate Webpage(s) | http://theses.insa-lyon.fr/publication/2010ISAL0080/these.pdf |
| Language | English |
| Access Restriction | Open |
| Content Type | Text |
| Resource Type | Article |