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Ge1-xSnx Epitaxial Growth on Ge Substrate by MOCVD
| Content Provider | Semantic Scholar |
|---|---|
| Author | Suda, Kohei Ishihara, Seiya Sawamoto, Naomi Machida, Hideaki Ishikawa, Masato Sudoh, Hiroshi Ohshita, Youichi Ogura, Atsushi |
| Copyright Year | 2014 |
| Abstract | 背景: Ge1-xSnx はポストスケーリング材料とし て優れた特性を持つ。Ge MOSFET のストレッ サとしての用途以外にも、そのキャリア移動度 の高さから Ge1-xSnx 自体をチャネル材料とし て使用することも可能である[1]。更に、Sn 組 成比や応力導入などにより直接遷移型バンド 構造へと遷移するため、光学素子への適用も可 能である。今回我々は、有機金属化学気相成長 (Metal Organic Chemical Vapor Deposition : MOCVD)法により、固溶度以上の Ge1-xSnxエピ タキシャル成長に成功した。 実験: Ge 原料として使用した t-C4H9GeH3は蒸 気圧が高く分解温度が低い。また膜中への C 不純物混入も少ないといった特徴を持つ[2]。 Sn原料として使用した(C2H5)4Snも蒸気圧が高 く、CVD 成膜に適した特性を持つ。原料の安 全性においても、既存の Ge1-xSnx CVD 原料に 比べ、優れた原料である。 成膜条件は、成膜温度 360 oC、成膜圧力 30 Torr、成膜時間 120 分とし、基板には Ge (001) を使用した。また、成膜時の原料供給比は Ge:Sn=1:1、原料供給量は 1.4E-04 mol/min とし た。キャリアガスには N2を使用した。堆積膜 の形状観察には TEM を、結晶構造評価には TEM による電子回折像観察と XRD による 2 次元逆格子マッピング測定を使用した。 結果: MOCVD法によるGe基板上でのGe1-xSnx ヘテロエピタキシャル成長に成功した。膜厚は 約 50 nm であり、TEM による電子回折像観察 では Ge 基板と同じ回折パターンを得た。XRD による逆格子マッピング測定より、Ge 基板に 格子整合した Sn 組成 2 at.%の Ge1-xSnx膜が成 長していることを確認した(Fig. 1)。以上より、 MOCVD 法による、固溶度以上の Sn 組成を有 する Ge1-xSnx ヘテロエピタキシャル成長に成 功したことを確認した。 |
| Starting Page | 697 |
| Ending Page | 701 |
| Page Count | 5 |
| File Format | PDF HTM / HTML |
| DOI | 10.1149/06406.0697ecst |
| Volume Number | 64 |
| Alternate Webpage(s) | https://confit.atlas.jp/guide/event-img/jsap2014a/19p-A16-7/public/pdf?type=in |
| Alternate Webpage(s) | https://doi.org/10.1149/06406.0697ecst |
| Language | English |
| Access Restriction | Open |
| Content Type | Text |
| Resource Type | Article |
