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Optimisation des étapes technologiques pour la fabrication de composants de puissance en carbure de silicium
| Content Provider | Semantic Scholar |
|---|---|
| Author | Vang, Heu |
| Copyright Year | 2006 |
| Abstract | L’electricite est aujourd’hui l’energie la plus utilisee de part le monde. L’electronique de puissance est au coeur de la gestion de l’electricite. La majorite des systemes de puissance utilise de nos jours des composants actifs en silicium. Avec les nouvelles contraintes, des tensions plus elevees, des faibles pertes, l’encombrement, les hautes temperatures, le silicium a atteint ses limites. Le carbure de silicium (SiC) est un semi-conducteur a large bande interdite qui presente des proprietes physiques et electriques a celles du silicium pour les composants de puissance. Les differents travaux a travers le monde demontrent un avenir prometteur pour le SiC dans la prochaine generation des composants de puissance. Ainsi les premiers composants SiC sont disponibles sur le marche depuis 2002 et les premiers systemes hybrides Si/SiC permettent de mettre en evidence les avantages de cette nouvelle technologie. Le travail realise au cours de cette these a permis de mettre en place une base pour la technologie de fabrication de composants de puissance en SiC. Plusieurs etapes technologiques necessaires a la fabrication de dispositifs SiC ont ete optimisees. La gravure plasma du SiC avec un reacteur RIE et la formation du contact ohmique le SiC de type P ont ete etudiees plus amplement. Ainsi, le procede de gravure optimise permet une vitesse de gravure de 0,35 µm/min avec un plasma SF6/O2, il est alors possible avec un masque de nickel de realiser des structures mesas avec des profondeurs superieures a 10 µm. Ensuite, une metallisation Ni/Al sur le SiC-4H de type P a ete realise avec une resistance specifique reproductible de 3×10-5 Ωcm2. Les optimisations des differentes etapes technologiques ont ete implementees dans la fabrication de diodes SiC avec deux types de protections peripheriques : JTE et mesa. Des diodes de 1,2 kV et 5 kV ont ete realisees et caracterisees. Ces dispositifs ont permis de valider les optimisations apportees par le travail realise dans cette these. Cependant, il reste encore a ameliorer les techniques de croissance du SiC pour permettre la fabrication de composants bipolaires de puissance en SiC fiables et robustes |
| File Format | PDF HTM / HTML |
| Alternate Webpage(s) | http://csidoc.insa-lyon.fr/these/2006/vang/01_couverture.pdf |
| Language | English |
| Access Restriction | Open |
| Content Type | Text |
| Resource Type | Article |
