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Effects of buffer layers on GaN-based junction properties
| Content Provider | Semantic Scholar |
|---|---|
| Author | Ma, Wancheng |
| Copyright Year | 2013 |
| Abstract | 響するかを調べたので報告する。 【実験と結果】図 1 に、試料構造の模式図を示す。低転位密度の n-GaN 自立基板上に n-GaN お よび n-GaN を成長した。引き続き、Al0.3Ga0.7N(5nm)/GaN(20nm) の超格子構造を 10 周期成長し、 最後に n-GaN を 0.5μm 成長した。成長は MOCVD で行い、n-GaN 層には Si をドーピングした。 この構造表面に、Ni/Au ゲートによるショットキー接合と Ni/Au/Al2O3(20nm)による MOS 接合を 形成した。Al2O3 膜の堆積は、純水と TMA を原料とする ALD により行った。 図 2 にショットキー接合の 100kHz での C-V 特性を示す。逆バイアスの印加とともに容量は減 少するが、-0.5V 付近で C-V 曲線の傾きが緩やかになり、-1V 以降ではほぼ一定の容量を示した。 この C-V 特性より計算したキャリア密度分布を図 2 に示す。最表面の n-GaN 領域では、10〜 10cm のキャリア密度分布であるが、AlGaN/GaN 超格子層の領域において急激な密度の増加が 見られ、顕著なキャリア蓄積が生じていることが推定される。このキャリア蓄積と AlGaN 層の伝 導帯バリアにより、逆バイアスを増加させても空乏層の拡がりが阻害されるものと思われる。MOS |
| File Format | PDF HTM / HTML |
| Alternate Webpage(s) | https://confit.atlas.jp/guide/event-img/jsap2013s/28a-G11-5/public/pdf?type=in |
| Language | English |
| Access Restriction | Open |
| Content Type | Text |
| Resource Type | Article |
