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Propriétés structurales de films de semi-conducteurs wurtzite hetéroépitaxiés selon des orientations non- et semi-polaires
| Content Provider | Semantic Scholar |
|---|---|
| Author | Vennéguès, Philippe |
| Copyright Year | 2009 |
| Abstract | Les nitrures d'elements III et les alliages a base de ZnO, semi-conducteurs a large bande interdite etudies au CRHEA, cristallisent dans la structure hexagonale wurtzite. Cette structure a la particularite d'etre une structure polaire et les polarisations internes ont donc une forte influence sur les proprietes des heterostructures a base de ces materiaux. Pour minimiser les effets de ces polarisations internes, un intense effort de recherche est mene sur l'etude d'heterostructures fabriquees selon des orientations non- et semi-polaires. Cette etude est dediee aux proprietes structurales de telles heterostructures avec comme outil principal d'investigation la microscopie electronique en transmission. Les relations epitaxiales entre les films wurtzites et les substrats de saphir orientes R et M ont ete determinees. L'influence de ces relations epitaxiales sur les microstructures a ete egalement mise ne evidence. Dans un second temps, les defauts structuraux presents ont ete caracterises en detail. Les densites de ces defauts sont tres grandes et incompatibles avec l'utilisation de telles heterostructures que ce soit pour la determination fine des proprietes intrinseques que pour leur utilisation dans des dispositifs optoelectroniques. Les procedes de croissance mis en place pour diminuer les densites de defauts seront presentes ainsi que les mecanismes permettant ces ameliorations de la qualite cristalline. |
| File Format | PDF HTM / HTML |
| Alternate Webpage(s) | https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00520457/document |
| Language | English |
| Access Restriction | Open |
| Content Type | Text |
| Resource Type | Article |
