NDLI: Application de la microscopie à sonde locale à l'étude de la surface de GaN(0001)

Please wait, while we are loading the content...

Application de la microscopie à sonde locale à l'étude de la surface de GaN(0001)

Content Provider	Semantic Scholar
Author	Vézian, S.
Copyright Year	2000
Abstract	Ce travail concerne la surface (0001) du nitrure de gallium (GaN) selon la polarite gallium. Cette orientation particuliere est en effet celle utilisee pour les applications technologiques recentes de ce semi-conducteur a grande bande interdite. L'etude experimentale de cette surface est principalement basee sur l'utilisation de deux types de microscopie a sondes locales : la microscopie a force atomique (AFM) et la microscopie a effet tunnel (STM). Le materiau GaN est obtenu par epitaxie sous jets moleculaires (EJM) essentiellement sur substrat Si(111). L'approche experimentale developpee s'appuie en particulier sur le couplage sous ultra-vide d'un reacteur EJM et d'un microscope STM. Le potentiel de cet ensemble experimental est illustre au chapitre 1 par l'obtention d'images en resolution atomique de surfaces de semi-conducteurs de reference tels que Si, SiC et GaAs. Les resultats experimentaux concernant la surface GaN(0001) sont presentes selon l'echelle d'observation : au dela du micrometre au chapitre 2, dans la gamme sub-micronique au chapitre 3 et finalement dans celle du nanometre au chapitre 4. L'etude par AFM ex situ de la morphologie de la surface a permis de mettre en evidence un phenomene de rugosite cinetique. L'utilisation de surfaces vicinales est proposee pour eliminer l'apparition d'une telle rugosite (chapitre 2). L'observation in situ par STM apporte des informations detaillees sur les marches presentes a la surface mais aussi sur la terminaison des dislocations a la surface et finalement sur l'interaction entre dislocations et marches (chapitre 3). La resolution atomique est obtenue pour deux reconstructions (2x2 et 4x4) correspondant a une terminaison Ga de la surface. Nous montrons que l'obtention de ces deux reconstructions est liee a la presence d'arsenic.
File Format	PDF HTM / HTML
Alternate Webpage(s)	http://www.crhea.cnrs.fr/fr/documents/Resumes/Theses/resume_these_sv.pdf
Language	English
Access Restriction	Open
Content Type	Text
Resource Type	Article

Central Library (ISO-9001:2015 Certified)
Indian Institute of Technology Kharagpur
Kharagpur, West Bengal, India | PIN - 721302

See location in the Map
03222 282435
Mail: support@ndl.gov.in

Sl.	Authority	Responsibilities	Communication Details
1	Ministry of Education (GoI), Department of Higher Education	Sanctioning Authority	https://www.education.gov.in/ict-initiatives
2	Indian Institute of Technology Kharagpur	Host Institute of the Project: The host institute of the project is responsible for providing infrastructure support and hosting the project	https://www.iitkgp.ac.in
3	National Digital Library of India Office, Indian Institute of Technology Kharagpur	The administrative and infrastructural headquarters of the project	Dr. B. Sutradhar bsutra@ndl.gov.in
4	Project PI / Joint PI	Principal Investigator and Joint Principal Investigators of the project	Dr. B. Sutradhar bsutra@ndl.gov.in Prof. Saswat Chakrabarti will be added soon
5	Website/Portal (Helpdesk)	Queries regarding NDLI and its services	support@ndl.gov.in
6	Contents and Copyright Issues	Queries related to content curation and copyright issues	content@ndl.gov.in
7	National Digital Library of India Club (NDLI Club)	Queries related to NDLI Club formation, support, user awareness program, seminar/symposium, collaboration, social media, promotion, and outreach	clubsupport@ndl.gov.in
8	Digital Preservation Centre (DPC)	Assistance with digitizing and archiving copyright-free printed books	dpc@ndl.gov.in
9	IDR Setup or Support	Queries related to establishment and support of Institutional Digital Repository (IDR) and IDR workshops	idr@ndl.gov.in