NDLI: [Silicon Technology Division Award Speech] Few-Electron Silicon Quantum Dots for Spin-Based Quantum Devices

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[Silicon Technology Division Award Speech] Few-Electron Silicon Quantum Dots for Spin-Based Quantum Devices

Content Provider	Semantic Scholar
Author	Horibe, Kosuke Kodera, Tetsuo Oda, Shunri
Copyright Year	2016
Abstract	スピン状態を利用した量子デバイスの研究は、これまで GaAs 系量子ドットを中心に進められてきたが、集積デバイス技術との適合性やデコヒーレンスの問題が考慮され、シリコン系への展開が急速に進んでいる。近年、シリコン系における重要な進捗として、少数電子状態観測、パウリスピンブロッケード現象観測、シングルショットスピン読み出し[1]、スピン回転操作[2]、などが実現されてきた。我々も、高集積量子ビットに適した独自のシリコン量子ドットにおいて、少数電子状態実現[3]、パウリスピンブロッケード現象観測[4]に成功してきた。また、極薄膜シリコン量子ドットでの単電子輸送現象とそのモデル化[5]、p チャネル量子ドットでの少数正孔状態[6]も実現した。本構造は、MOSFETを作製するための既存のシリコンテクノロジーを活かすことができる。将来的な量子ビットの集積化に適した構造であると期待される。少数電子シリコン量子ドット実現の研究においては、量子ドットの微細化と、僅か1つの電子数変化を読む出すことのできる電荷検出計の開発を行った(Fig.1参照)。また、2重結合量子ドットに電子を1つずつ閉じ込めた状態の実現や、量子ドット間のトンネル結合の制御を行った[3]。本講演では、受賞対象論文[3]の成果を含めた我々のグループの研究の進捗と、シリコン系でのスピン量子デバイスの研究動向について紹介する。謝辞:本研究は、JSTさきがけ、科研費(26249048, 26630151, 26709023),文部科学省イノベーションシステム整備事業の助成を受け遂行された。
File Format	PDF HTM / HTML
Alternate Webpage(s)	https://confit.atlas.jp/guide/event-img/jsap2016s/21a-S422-3/public/pdf?type=in
Language	English
Access Restriction	Open
Content Type	Text
Resource Type	Article

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