NDLI: Caractérisation et modélisation du transistor JFET en SiC à haute température

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Caractérisation et modélisation du transistor JFET en SiC à haute température

Content Provider	Semantic Scholar
Author	Hamieh, Youness
Copyright Year	2011
Abstract	Dans le domaine de l’electronique de puissance, les dispositifs en carbure de silicium (SiC) sont bien adaptes pour fonctionner dans des environnements a haute temperature, haute puissance, haute tension et haute radiation. Le carbure de silicium (SiC) est un materiau semi-conducteur a large bande d’energie interdite. Ce materiau possede des caracteristiques en temperature et une tenue aux champs electriques bien superieure a celles de silicium. Ces caracteristiques permettent des ameliorations significatives dans une grande variete d’applications et de systemes. Parmi les interrupteurs existants, le JFET en SiC est l’interrupteur le plus avance dans son developpement technologique, et il est au stade de la pre-commercialisation. Le travail realise au cours de cette these consiste a caracteriser electriquement des JFET- SiC de SiCED en fonction de la temperature (25°C-300°C). Des mesures ont ete realise en statique (courant-tension), en dynamique (capacite-tension) et en commutation sur charge R-L (resistive-inductives) et dans un bras d’onduleur. Un modele multi-physique du transistor VJFET de SiCED a un canal lateral a ete presente. Le modele a ete developpe en langage MAST et valide aussi bien en mode de fonctionnement statique que dynamique en utilisant le simulateur SABER. Ce modele inclut une representation asymetrique du canal lateral et les capacites de jonction de la structure. La validation du modele montre une bonne concordance entre les mesures et la simulation.
File Format	PDF HTM / HTML
Alternate Webpage(s)	https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00665817/document
Alternate Webpage(s)	https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00665817/file/these.pdf
Language	English
Access Restriction	Open
Content Type	Text
Resource Type	Article

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