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Contribution à l’étude de la fiabilité des technologies avancées en environnement radiatif atmosphérique et spatial par des méthodes optiques
| Content Provider | Semantic Scholar |
|---|---|
| Author | Mbaye, Nogaye |
| Copyright Year | 2013 |
| Abstract | Ce travail presente la mise en œuvre du test par faisceau laser TPA pour l’etude de la sensibilite au phenomene SEB dans les diodes schottky en carbure de silicium. Le contexte de l’etude est decrit par un etat de l’art du SEB sur les MOSFETs et Diodes en Silicium et en carbure de silicium. Une etude technologique et structurelle des composants en SiC a permis de degager les avantages du SiC par rapport au Si conventionnel et a permis d’analyser les degâts causes par le faisceau TPA. L’utilisation du montage experimental sur la plateforme ATLAS dedie specifiquement au test de materiaux a grand gap a permis de mettre en place une methodologie de test sur des diodes schottky en SiC. L’efficacite de cette methodologie est prouvee par l’obtention de resultats experimentaux tres originaux. La susceptibilite au SEB induit par la technique laser TPA a ete demontree. Les mesures SOA ont permis d’evaluer la robustesse des diodes schottky SiC face aux evenements singuliers. Une modelisation analytique a ete menee afin de comprendre la cause du mecanisme du SEB et la localisation des defauts induits par le faisceau TPA. |
| File Format | PDF HTM / HTML |
| Alternate Webpage(s) | http://ori-oai.u-bordeaux1.fr/pdf/2013/MBAYE_NOGAYE_2013.pdf |
| Language | English |
| Access Restriction | Open |
| Content Type | Text |
| Resource Type | Article |
