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Filterless Vacuum Ultraviolet Photoconductive Detector Based on SrF 2 Thin Film Prepared by Pulsed Laser Deposition
| Content Provider | Semantic Scholar |
|---|---|
| Author | Shoei, Otani |
| Copyright Year | 2015 |
| Abstract | 真空紫外光源は洗浄・殺菌・表面改質など様々な用途に使用されている.これに伴い,この真 空紫外光源のモニタリング用光検出器への要求が高まっている.そこで我々は,検出器材料とし てワイドギャップ材料であるフッ化物を用いた光検出器の開発を進めてきた[1].光伝導型検出器 はバンドギャップを超えるエネルギーを持つ光子のみを吸収するため,フッ化物材料を利用する ことにより,真空紫外光を選択的に検出する光検出器開発が可能になる.本研究では,SrF2 に着 目し,フェムト秒レーザーによるパルスレーザー堆積法を用いた薄膜化とその光伝導特性評価を 行ったので,これについて報告する. パルスレーザー堆積法により SrF2薄膜を MgF2基板上に堆積させた.成膜は,真空中にてフェ ムト秒チタンサファイアレーザー照射(波長:790 nm,レーザーフルエンス:14.3 J/cm)により行った. さらに,堆積した薄膜上に真空蒸着法を用いてアルミニウム櫛形電極を形成することにより光伝 導型検出器を作製した. 光検出器の光伝導特性を,真空紫外光照射時の電流(光電流)と非照射時の電流(暗電流)を測定す ることにより評価した(Fig.1).電極間に 300 V印加時の暗電流は 3 pA以下,光電流は 600 pAとな り,真空紫外光照射により電流値の 2桁増加を確認した.さらに,波長応答特性を評価した(Fig.2). 薄膜の透過端は 120 nmとなり,検出器の応答領域は波長 164 nm以下であることを確認した. この結果より,SrF2薄膜を用いたフィルタレス真空紫外光検出器の開発を実現した. |
| File Format | PDF HTM / HTML |
| Alternate Webpage(s) | https://confit.atlas.jp/guide/event-img/jsap2015a/14p-PA10-13/public/pdf?type=in |
| Language | English |
| Access Restriction | Open |
| Content Type | Text |
| Resource Type | Article |
