Top-Gate Organic Transistors Fabricated by Electrostatic Spray Deposition

Content Provider	Semantic Scholar
Author	Onojima, Norio
Copyright Year	2014
Abstract	【実験】ボトムコンタクト電極(Ni/Au)は,SiO2/Si 基板上にフォトリソグラフィ・リフトオフプロセスにより形 成した(チャネル長 5~100 μm).有機半導体層(TIPSペンタセン,膜厚 300 nm)は,ボトムコンタクト電極上に ESD法を用いてパターニング成膜した.TIPSペンタセン溶液は,o-DCBとアセトンの混合溶媒(体積比 1:1)に溶 解させて作製した(0.1 wt%).ESDプロセス条件は,ノズル径 250 μm,印加電圧 13 kV,ノズル-基板間距離 5 cm, 基板温度 55oCで行った.数百ミクロンサイズの大面積単結晶ドメインが得られ,これを有機トランジスタの活性 層(単結晶チャネル)として用いた.トップゲート絶縁膜(PMMA,膜厚 600 nm)は,TIPS ペンタセン単結晶ドメ イン上に ESD 法を用いてパターニング成膜した(ESD プロセス条件の詳細は[1]を参照).ゲート電極(Al)は, PMMAトップゲート絶縁膜上に真空蒸着法を用いて堆積した. 【結果・考察】Fig. 1にチャネル長 5 μmのトップゲート・ボトムコンタクト型トランジスタの出力特性(a)および 伝達特性(b)をそれぞれ示す.飽和領域の電界効果移動度 0.29 cm/V·sという高い特性が得られた(Table 1).今後,
File Format	PDF HTM / HTML
Alternate Webpage(s)	https://confit.atlas.jp/guide/event-img/jsap2014a/17a-A4-2/public/pdf?type=in
Language	English
Access Restriction	Open
Content Type	Text
Resource Type	Article