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Développement d’une source de radiation térahertz(THz) intense et mise en forme d’impulsions THz àpartir d’une antenne de grande ouverture de ZnSe.
| Content Provider | Semantic Scholar |
|---|---|
| Author | Ropagnol, Xavier |
| Copyright Year | 2013 |
| Abstract | Dans cette these, nous avons developpe une source de radiations THz de haute intensite realisee a partir d’une antenne photoconductrice de grande ouverture interdigitale de ZnSe. Avant d’arriver a la realisation de la source, qui est le but majeur, nous sommes passes par une multitude d’etapes. La premiere etape a ete l’etude et la comparaison des performances des antennes photoconductrices de grandes ouvertures de ZnSe monocristallin et polycristallin. Nous avons demontre que ce type d’antenne doit etre excite a la longueur d’onde de 400 nm afin d’etre plus efficace. D’autre part, nous avons observe que le champ electrique THz sature lorsque l’antenne est excitee avec de tres hautes fluences. Par la suite, nous avons compare les performances des antennes de grande ouverture de ZnSe monocristallin excitees a la longueur d’onde de 400 nm aux antennes photoconductrices de grande ouverture de GaAs excitees a la longueur d’onde de 800 nm. Nous en avons conclu que les antennes de ZnSe avaient un plus grand potentiel pour generer des impulsions THz de hautes intensites et pouvaient etre plus efficaces. La deuxieme etape a ete de creer une technique permettant la mise en forme d’impulsion THz sur des antennes interdigitales. Cette technique, qui consiste a couvrir la structure interdigitale de l’antenne par un masque de phase binaire, permet de moduler la forme d’une impulsion THz allant d’une impulsion asymetrique demi-cycle a une impulsion symetrique monocycle. Cette technique a ete demontree dans un premier temps sur une antenne photoconductrice de grande ouverture interdigitale de GaAs puis enfin sur une antenne photoconductrice de grande ouverture interdigitale de ZnSe. Enfin, la derniere etape a ete de caracteriser l’antenne photoconductrice de grande ouverture a structure interdigitale de ZnSe. Nous avons genere des impulsions d’une energie de 3.6 µJ. Cette energie est plus de quatre fois superieure a celle qui avait ete generee par une antenne de GaAs. Le champ electrique THz crete equivalent est de 143 kV/cm. |
| File Format | PDF HTM / HTML |
| Alternate Webpage(s) | http://espace.inrs.ca/2162/1/Ropagnol.X.pdf |
| Language | English |
| Access Restriction | Open |
| Content Type | Text |
| Resource Type | Article |
