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GD a-Si : Hの局位準位分布の計算に関する研究
| Content Provider | Semantic Scholar |
|---|---|
| Author | 孝明, 野田 吉彦, 小川 貞一, 黒部 |
| Copyright Year | 1981 |
| Abstract | The reliability of the FE method and the CV rnethod for determining the localized state distribution IV(E) in GD a-Si : H are evaluated by computer simulation. lt is shown that ca}culation by the CV method is alrnost exact and the FE method is less reliable. But the FE method may be more reliable than the CV method regarding the accuracy of measured values. The new calculation method combining both meehods and the iteration method are suggested for obtaining an a}most true distribution Ar(E) . And £he effect of surface states on calculation of N(E) is evaluated;the allowable surface state density is shown to be below 10i'cm-2eVhi. The effect of the Fermi -Dirac distributien function F(E) at room temperature is es£irnated. The result indicates that correction by room temperature F(E) is necessary. 1.はじめに GD a-Si:H(グP一放電法アモルファスシリuン)は,シラン(SiH,)の高周波(r.ノ:)グ ロー放電により作成されたa-Si薄膜であり,放電中に発生した水素原子がSiのダングリングボン ドと結合してそのXネルギーを下げ,結果的に禁止帯中の局在準位密度が小さくなっていると言 われている。この様にGD a-Si:Hは帯闇の局在準位密度が小さいので, Pn制御が可能であり, 薄膜太陽電池用材料として近年脚光を浴びている訳であるが,その局在準位密度を知る事は極め て重要である。 Spear等i)は, FE法(電界効果法)を用いてGD a-Si:Hの局在準位密度1▽(E)を初めて決 定した。その後,広瀬等2}は,CV法(容量法)によってN(E)を決定し,岡一素子について両 法による結果の異なる事を指摘している。しかし,これらの方法の儒頼性については従来議論さ れていない。本報告では,これら両法の信頼性を評価する事から始め,さらに信頼の出来る新し い計算法を提案する。この計算法は,FE法とCV法の計算法を組み合わせた方法と,更に繰り返 し近似を行なう方法を愈むものである。 |
| Starting Page | 75 |
| Ending Page | 86 |
| Page Count | 12 |
| File Format | PDF HTM / HTML |
| Volume Number | 105 |
| Alternate Webpage(s) | https://eprints.lib.hokudai.ac.jp/dspace/bitstream/2115/41688/1/105_75-86.pdf |
| Language | English |
| Access Restriction | Open |
| Content Type | Text |
| Resource Type | Article |
