Croissance épitaxiale et propriétés magnétiques d'hétérostructures de Mn5Ge3 sur Ge pour des applications en électronique de spin

Content Provider	Semantic Scholar
Author	Spiesser, Aurélie
Copyright Year	2011
Abstract	L'integration de materiaux ferromagnetiques dans des heterostructures semi-conductrices offre aujourd'hui de nouvelles perspectives dans le domaine de l'electronique de spin. Dans ce manuscrit sont presentes les resultats de la croissance par epitaxie par jets moleculaires d' heterostructures de Mn5Ge3 sur Ge(111). Le Mn5Ge3 est un compose ferromagnetique jusqu'a temperature ambiante qui a l'avantage de pouvoir s'integrer directement au Ge, semi-conducteur du groupe IV. S'agissant d'un materiau relativement nouveau, un des efforts majeurs a porte sur la maitrise de la croissance des couches minces de Mn5Ge3 par la technique d'epitaxie en phase solide (SPE). Un fort accent a ete mis sur les caracterisations structurales, la determination des relations d'epitaxie avec le Ge(111), afin de les relier aux proprietes magnetiques des films. La seconde partie de ce travail a ete consacree a l'etude des processus cinetiques d'incorporation de carbone dans les couches minces de Mn5Ge3. La combinaison des differents moyens de caracterisations structurales et magnetiques a permis d'aboutir a une augmentation notable de la temperature de Curie tout en conservant une excellente qualite structurale de la couche et de l'interface avec le Ge et une stabilite thermique jusqu'a 850°C. Tous ces resultats indiquent que les couches minces de Mn5Ge3 epitaxiees sur Ge(111) apparaissent comme des candidats a fort potentiel pour l'injection de spin dans les semi-conducteurs du groupe IV.
File Format	PDF HTM / HTML
Alternate Webpage(s)	http://www.theses.fr/2011AIX22001/document
Alternate Webpage(s)	https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00714349/document
Language	English
Access Restriction	Open
Content Type	Text
Resource Type	Article