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Passivation of crystalline Si surfaces with small textures by Cat-CVD SiNx films
| Content Provider | Semantic Scholar |
|---|---|
| Author | Liu, Jing Akagi, Seimei Yamamoto, Yuzo Ohdaira, Keisuke |
| Copyright Year | 2017 |
| Abstract | はじめに 結晶 Si(c-Si)太陽電池の高性能化には、窒化 Si(SiNx)膜での c-Si 表面の有効なパッシベーシ ョンが不可欠である。これまで我々は、触媒化 学気相堆積(Cat-CVD)法で堆積した SiNx 膜の c-Si 表面の優れたパッシベーション性能を実 証している[1,2]。今回、アルカリ溶液で形成し たサイズ 1–2 μmの微小テクスチャーc-Si表面 への、Cat-CVD SiNx 膜の適用を検討したので 報告する。 実験方法 バルク少数キャリア寿命>10 ms の n 型 (100)c-Si を基板として用いた。オゾン水で 5 分間超音波洗浄した後、KOH をベースとした アルカリ溶液に Si 基板を 90 °C、15 分間浸漬 し、再びオゾン水で 5 分間超音波洗浄した後 RCA洗浄を行った。アルカリ溶液処理後の c-Si 表面の SEM像を Fig. 1に示す。その後、Table 1 に示す条件で、c-Si 両面に膜厚~100 nm、屈 折率~2.0の SiNx膜を Cat-CVDで堆積した。試 料取り出し後、窒素雰囲気下、350 °C で 30分 間アニールを行った。参照用試料として、鏡面 c-Si 上にも同様の SiNx 膜堆積、ポストアニー ルを行った。μ-PCD 法で c-Si の実効少数キャ リア寿命(τeff)を測定することで、SiNx膜のパッ シベーション能力を評価した。 |
| File Format | PDF HTM / HTML |
| Alternate Webpage(s) | https://confit.atlas.jp/guide/event-img/jsap2017s/15a-P11-11/public/pdf?type=in |
| Language | English |
| Access Restriction | Open |
| Content Type | Text |
| Resource Type | Article |
