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Development of Protective Elements for Breakdown on Middle and Slow Capacitor Bank
| Content Provider | Semantic Scholar |
|---|---|
| Author | Hasegawa, Mitsuo Inoue, Kunikazu Hirai, Toshimitsu Hayashi, Masami Ueno |
| Copyright Year | 1992 |
| Abstract | 断す るか,破 壊Cを 低 インダ クタ ンス回路 で短絡 す るな どの手法が知 られて いるが,現 実 には二次事故 の 発 生が想定 され,簡 単な構造で は不可 能 である。 本報 告は,永 年継続 し研究開発 をして きている高圧 密 閉形 高速 遮 断素 子(1)(2)を活用 して,中 低 速Cバ ン クの,短 絡事 故時の回路現象 と,保 護協調 を考慮 した Cバ ンク破 壊保護 素子 を開 発 したの で,そ の構 造 な らびに,動 作 原理 とその特性 につ いて報 告する。 図1にCバ ン ク破壊保護 素子 の構造 とその動作 回 路 図を示す。破 壊保 護素子 は,金 属 板端子 1 7 8 12 に接続 され た ヒューズ素 子 2 11 を絶縁 物 6 9 で おおい,一 対の金属板 4 と,ね じ5 によって高圧密閉 形遮断素子 として形成 され ている。正常放電電 流は図 1の→ 印 で示 す経路 を流れ るため,ヒ ューズ素子に働 く電磁力 は吸 引力 として作用す る。従 って,金 属板 に 密着 してい る絶縁物,な らびに ヒューズ素子は,正 常 放 電電 流 による物理的,機 械 的損傷 を受 けない。そこ で,内 部絶縁破壊事故 を想定 し,Cバ ンクのCsを 短 絡 する と,そ の動作原理 は次 のよ うにな る。短絡電流 はや 印で示 す経 路 に流 れ,CsとC1に 接続 され た ヒ ューズ素子は電磁反発 力によ り図中にお ける上下方向 の力を受 け,金 属板 に設 けた孔 3 10 へ絶 縁物 を押付 け る応力 を与 える と同時 に,短 絡電 流 硬,な らびに i1によ リヒュー ズ素子 は溶 断爆破 し,高 圧金属蒸気化 され,絶 縁物 を破壊 し,孔 か ら吹出 す。従 って,金 属 板端子 と絶縁物 でおお われた空間 はアー クプラズマで |
| Starting Page | 1008 |
| Ending Page | 1009 |
| Page Count | 2 |
| File Format | PDF HTM / HTML |
| DOI | 10.1541/ieejias.112.1008 |
| Volume Number | 112 |
| Alternate Webpage(s) | https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejias1987/112/10/112_10_1008/_pdf |
| Language | English |
| Access Restriction | Open |
| Content Type | Text |
| Resource Type | Article |
