Loading...
Please wait, while we are loading the content...
Similar Documents
Improvement of crystallinity of GaN crystals grown by OVPE with Ga + H 2 O reaction
| Content Provider | Semantic Scholar |
|---|---|
| Author | Yamaguchi, Yohei |
| Copyright Year | 2015 |
| Abstract | 料部反応の違いによる結晶品質の差の原因を特定するために基板上の H2O分圧と多結晶密度及び XRC半値幅の関係を調べた。Fig. 2より基板上の H2O 分圧の増加が多結晶の増加、結晶性の悪化 を導いていることがわかる。今回の実験での育成部の H2O 分圧は Ga2O3-H2系、Ga-H2O 系でそれ ぞれ 64~124 Pa、50~77 Pa であった。このことから、H2O 分圧が Ga2O3-H2系と比べて低かったこ とが Ga-H2O 系での多結晶抑制、結晶性向上につながったと考えられる。Ga2O3-H2 系では原理的 に Ga2Oの 2倍量の H2O の発生が避けられないが、Ga-H2O系では原料部反応の効率を上昇させる ことで H2O 分圧の低減が可能である。したがって、Ga を原料とする OVPE 法では原料部の Gaか ら Ga2O への変換効率を上昇させることで、さらなる多結晶抑制及び結晶性上昇が期待できる。 |
| File Format | PDF HTM / HTML |
| Alternate Webpage(s) | https://confit.atlas.jp/guide/event-img/jsap2015a/13p-1D-10/public/pdf?type=in |
| Language | English |
| Access Restriction | Open |
| Content Type | Text |
| Resource Type | Article |