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Avaliação Da Sujidade Em Módulos Fotovoltaicos Em Minas Gerais, Brasil
| Content Provider | Semantic Scholar |
|---|---|
| Author | Costa, Suellen C. Diniz, Antônia Sônia Cardoso Santana, Vinícius Augusto Camatta Muller, Matthew Micheli, Leonardo Kazmerski, Lawrence L. |
| Copyright Year | 2018 |
| Abstract | O desempenho de modulos fotovoltaicos vem sendo cada vez mais discutido, visando identificar medidas com o potencial de promover melhorias para a tecnologia. Diferentes variaveis influenciam no desempenho do fotovoltaico, como por exemplo as condicoes meteorologicas, mas outro fator vem sendo discutido em diferentes literaturas por possuir elevado impacto na eficiencia dessa tecnologia: a sujidade. Nesse trabalho e apresentada a metodologia para quantificar a perda por sujidade em modulos fotovoltaicos de filme fino de telureto de cadmio (CdTe) e silicio policristalino (p-Si) atraves de medicoes realizadas em estacoes de sujidade de monitoramento instaladas em Belo Horizonte, Minas Gerais. Os parâmetros eletricos medidos dos modulos fotovoltaicos sao comparados com dados de precipitacao coletados no mesmo local, com o objetivo de avaliar o comportamento da taxa de sujidade ao longo de periodos secos. Alem disso, a taxa de sujidade para dados de corrente de curto-circuito (SRIsc) e de potencia maxima (SRPmax) dos modulos foram avaliados e comparados, caracterizando o efeito potencial de deposicao de sujidade uniforme ou nao-uniforme. Os resultados mostraram proximidade entre as curvas de taxa de sujidade para corrente e potencia, indicando uniformidade da deposicao de sujidade sobre os modulos fotovoltaicos. A aplicacao dessa metodologia permitiu identificar taxas medias de sujidade para tecnologia de telureto de cadmio de aproximadamente 0,88 e 0,87 para corrente de curto-circuito e potencia maxima, respectivamente, enquanto para o silicio policristalino essa taxa foi de 0,91 e 0,89. Estes dados mostram que sujidade possui maior impacto sobre o fotovoltaico de telureto de cadmio, como consequencia da diferenca da largura da banda gap em relacao ao silicio cristalino. |
| File Format | PDF HTM / HTML |
| Alternate Webpage(s) | http://anaiscbens.emnuvens.com.br/cbens/article/download/191/191 |
| Language | English |
| Access Restriction | Open |
| Content Type | Text |
| Resource Type | Article |