Loading...
Please wait, while we are loading the content...
MOŻLIWOŚCI ZASTOSOWANIA TRANZYSTORÓW MOSFET NA BAZIE SiC ORAZ GaN W FALOWNIKU KLASY DE
| Content Provider | Semantic Scholar |
|---|---|
| Author | Przybyła, Krzysztof |
| Copyright Year | 2018 |
| Abstract | Streszczenie. W początkowej części artykułu przedstawiono podstawowe różnice tranzystorów MOSFET na bazie węglika krzemu (SiC) oraz azotku galu (GaN) w porównaniu do tranzystorów krzemowych (Si). Następnie objaśniono pracę optymalną falownika klasy DE i zaproponowano jego prosty model, który służy do określenia maksymalnej częstotliwości pracy. Wykorzystując model oraz parametry katalogowe wybranych tranzystorów obliczono, że falowniki z tranzystorami GaN mogą pracować przy wyższej częstotliwości niż falowniki z tranzystorami Si i SiC. |
| File Format | PDF HTM / HTML |
| Alternate Webpage(s) | https://www.elektr.polsl.pl/images/elektryka/239_240/239_240-2.pdf |
| Language | English |
| Access Restriction | Open |
| Content Type | Text |
| Resource Type | Article |