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Contribution de la microscopie électronique en transmission analytique à la caractérisation du diamant CVD
| Content Provider | Semantic Scholar |
|---|---|
| Author | Bozzolo, Nathalie |
| Copyright Year | 1996 |
| Abstract | Nos travaux se situent dans le contexte de la caracterisation de la qualite cristalline des films de diamant elabores par MPCVD sur silicium monocristallin. Nous etudions plus particulierement, par MET et EELS, la repartition des defauts plans (fautes d'empilement, joints de macles et micromacles) dans les cristaux constituant les films, ainsi que leurs effets sur les cliches de diffraction electronique et sur les spectres de pertes d'energie. Un soin particulier est apporte a la preparation de lames minces. Des degâts d'irradiation sont mis en evidence et caracterises dans le cas des lames amincies par bombardement ionique. L’examen de plusieurs films de microstructures differentes permet de determiner les conditions d'elimination des defauts plans. Il existe une relation entre la presence defauts plans et le type de faces delimitant les cristaux, que nous avons verifie pour differentes morphologies cristallines. Cette relation induit une correlation entre la distribution spatiale des defauts plans et l'evolution de la microstructure en cours de croissance. Les defauts plans se forment uniquement au cours de la croissance suivant les faces 111. Les films textures dont la surface est majoritairement constituee de facettes 100 presentent une qualite cristalline superieure a toute autre texture. Cette tendance est d'autant plus marquee que l'epaisseur des films consideres est importante. La qualite cristalline la plus elevee que nous ayons observee correspond aux films hautement orientes sur Si(100) pour lesquelles les defauts plans disparaissent totalement des cristaux a partir d'une certaine epaisseur. Cette epaisseur critique correspond au moment ou les faces 100 externes se sont rejointes en cours de croissance. Cette etude nous a conduit a concevoir un programme de simulation des cliches de diffraction. La presence de defauts plans induit des effets specifiques sur les cliches de diffraction electronique, qui peuvent etre simules grâce a ce programme, et qui sont mis a profit pour localiser des defauts. Une modification de la structure de bande du diamant liee a la presence des defauts est mise en evidence par EELS |
| File Format | PDF HTM / HTML |
| Alternate Webpage(s) | http://docnum.univ-lorraine.fr/public/INPL_T_1996_BOZZOLO_N.pdf |
| Language | English |
| Access Restriction | Open |
| Content Type | Text |
| Resource Type | Article |