Loading...
Please wait, while we are loading the content...
Similar Documents
Nanofils de semiconducteurs III-V épitaxiés sur Si(111) pour la photonique sur silicium
| Content Provider | Semantic Scholar |
|---|---|
| Author | Mavel, Amaury |
| Copyright Year | 2017 |
| Abstract | La microelectronique rencontre des difficultes croissantes avec la miniaturisation des composants. La photonique sur silicium propose de les contourner en choisissant le photon comme vecteur de l'information, mais les sources de ces photons restent des verrous. Cette these s'est donc attachee a la realisation par epitaxie par jets moleculaire en mode vapeur-liquide-solide et la caracterisation par spectroscopie de photoluminescence (PL) de boites quantiques en nanofils (NFs-BQ) d'InP/InAs crus sur silicium oriente (111), dans le but d'une integration monolithique de sources lumineuses. Des NFs d'InP de phase cristalline pure wurtzite ont d'abord ete crus verticaux sur Si(111), a partir d'un catalyseur sous forme de gouttelettes or-indium. La formation prealable d'un piedestal d'InP par la cristallisation de ces gouttelettes, ainsi que la migration de l'or au sommet de ce piedestal pour catalyser la croissance, ont ete mise en evidence. Le diametre de ces NFs a ensuite ete augmente pour qu'ils se comportent comme un materiau massif du point de vue des proprietes optomecaniques. Ils ont ete soumis a une pression hydrostatique allant jusqu'a quelques GPa pour determiner des parametres mal connus de l'InP Wz. L'optimisation de la croissance du systeme NF-BQ d'InP/InAs a ensuite ete realisee. Des BQs de hauteur variable ont ete obtenues, avec des interfaces tres abruptes. Les etudes de PL sur un ensemble de NFs-BQ montrent des spectres plus ou moins complexes suivant la hauteur des BQs, ainsi qu'une polarisation de l'emission accordable avec cette hauteur. Le dernier objectif a ete d'ameliorer l'efficacite de l'emission des NFs-BQs d'InP/InAs grâce a l'effet photonique d'une coquille en silicium amorphe (a-Si). Les etudes de PL ont revele une forte perte d'intensite de PL et la disparition de l'anisotropie de polarisation de l'emission des NFs-BQ apres depot. Plusieurs raisons sont discutees pour expliquer ceci. |
| File Format | PDF HTM / HTML |
| Alternate Webpage(s) | http://theses.insa-lyon.fr/publication/2017LYSEI015/these.pdf |
| Language | English |
| Access Restriction | Open |
| Content Type | Text |
| Resource Type | Article |
