Effets de la compensation du dopage sur les propriétés électriques du silicium et sur les performances photovoltaïques des cellules à base de silicium solaire purifié par voie métallurgique

Content Provider	Semantic Scholar
Author	Veirman, Jordi
Copyright Year	2011
Abstract	Ce travail a pour but de comprendre l’effet de la compensation du dopage sur les performances des cellules photovoltaiques a base de silicium de qualite solaire purifie par voie metallurgique. Apres avoir developpe la physique des materiaux compenses, l’influence de la compensation a ete etudiee a l’echelle de la plaquette. Nous avons mis en evidence une forte reduction non predite de la mobilite des porteurs. Au contraire, la compensation du dopage s’est averee benefique a la duree de vie volumique. Nous avons precise les proprietes recombinantes des dopants. L’etude a ete transposee a l’echelle de la cellule. Des rendements de 16% ont ete obtenus sur des cellules fortement dopees et compensees. La presence de nombreuses associations entre impuretes dopantes et defauts nous a conduits a l’elaboration d’un algorithme permettant de simuler la cinetique de ce type d’association. Enfin, deux techniques innovantes de mesure des teneurs en dopants et en oxygene interstitiel ont ete presentees.
File Format	PDF HTM / HTML
Alternate Webpage(s)	http://theses.insa-lyon.fr/publication/2011ISAL0111/these.pdf
Alternate Webpage(s)	https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00701561/document
Language	English
Access Restriction	Open
Content Type	Text
Resource Type	Article