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Fabrication of laminated film and junction of iron based superconductor SmFeAs(O,F) grown by molecular beam epitaxy (2)
| Content Provider | Semantic Scholar |
|---|---|
| Author | Sakoda, Masahito |
| Copyright Year | 2014 |
| Abstract | 研究背景 我々は超伝導デバイスの根幹であるジョセフソン素子を、高温で動作させること を最終的な目標として研究を進めている。その中でも、鉄系超伝導体で最も高い転移温度 Tc = 57 K を持つ SmFeAs(O,F)に注目している。前回までに我々のグループは、分子線エピタキシー(MBE) 法を用いた共蒸着法による SmFeAs(O,F)の単層膜の成長を報告した。今回はその成果を発展させ、 SmFeAs(O,F)の単層膜を絶縁バリヤで隔離した積層 構造を成膜し、接合を作製して特性を調べた。 実験方法 MBE 法を用いて真空チャンバー内で、 原料 Fe, Sm, As, FeF2をそれぞれ抵抗加熱により分子 線として基板に蒸着し、Oをガス導入により供給して 薄膜試料を作製した。基板には LaAlO3(001)と CaF2(100)を用いた。作製した SmFeAs(O,F)単層膜上 に、MBE法により絶縁バリヤとして原料の CaF2の単 層膜を蒸着した後、その上部に再度 MBE 法により SmFeAs(O,F)の単層膜を成長させて積層構造を持つ 薄膜試料を作製した。CaF2は島状成長しやすいため、 20 ~ 60 nmと厚めに積んだ。作製した積層膜をフォトリ ソグラフィーとアルゴンイオンミリングを用いて微細加 工して接合を作製し、四端子法によりその電圧–電流特性 を測定した。 実験結果 図 1 は SmFeAs(O,F)の積層膜(赤線)と 単層膜(青線)の X 線回折結果を比較したものである。 それぞれに(001) (007)面のピークが見られることから、 積層膜における SmFeAs(O,F)の成長を確認した。図 2 は 絶縁バリヤの厚さ 30 nmの積層膜の、4 Kにおける電圧 ―電流特性である。未だジョセフソン特性は得られてお らず、フラックスフロー的特性になっている。 -20 -10 0 10 20 |
| File Format | PDF HTM / HTML |
| Alternate Webpage(s) | https://confit.atlas.jp/guide/event-img/jsap2015s/13p-A1-5/public/pdf?type=in |
| Language | English |
| Access Restriction | Open |
| Content Type | Text |
| Resource Type | Article |
