Etude d'une nouvelle filière de composants HEMTs sur technologie nitrure de gallium : Conception d'une architecture flip-chip d'amplificateur distribué de puissance à très large bande

Content Provider	Semantic Scholar
Author	Meyer, Sandra De
Copyright Year	2005
Abstract	Ces travaux se rapportent a l'etude de transistors HEMTs GaN pour l'amplification de puissance hyperfrequence. L'analyse des caracteristiques des materiaux grand gap, et plus precisement du GaN, est realisee afin de mettre en evidence leur interet pour des applications d'amplification de puissance large bande. Des resultats de caracterisation et modelisation electrique de composants sont presentes. Par la suite, la methode de modelisation hybride de composant est exposee et mise en œuvre sur differentes topologies et montages de HEMTs GaN. La finalite de ces travaux concerne la conception d'amplificateurs distribues de puissance large bande a base de cellules cascode de HEMTs GaN, reportes en flip-chip sur un substrat d'AlN. Il s'agit d'un premier pas vers le MMIC GaN etant donne que des capacites et resistances sont integrees sur la puce de GaN. L'une des versions permet d'atteindre 10W sur la bande 4-18GHz avec une PAE associee de 20% a 2dB de compression.
File Format	PDF HTM / HTML
Alternate Webpage(s)	http://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/c6724388-69b6-4017-a9a5-6408d2282ef8/blobholder:0/2005LIMO0030.pdf
Language	English
Access Restriction	Open
Content Type	Text
Resource Type	Article