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Etude de la robustesse de transistors MOSFET SiC pour des applications aéronautiques
| Content Provider | Semantic Scholar |
|---|---|
| Author | Othman, D. |
| Copyright Year | 2014 |
| Abstract | L'objectif de cette etude est de maitriser les aspects de robustesse des interrupteurs de puissance a technologie grand gap a base de carbure de silicium ainsi que l'etude de leur impact sur la conception des convertisseurs aeronautiques de nouvelle generation. Les travaux presentes portent sur des resultats experimentaux preliminaires obtenus sur des transistors MOSFET 1200V en SiC. Cet article presente les resultats obtenus lors des essais de robustesse en regime de court-circuit et des essais de vieillissement acceleres montrant des modes de defaillance possibles dans des conditions reelles de fonctionnement |
| File Format | PDF HTM / HTML |
| Alternate Webpage(s) | https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01083936/document |
| Language | English |
| Access Restriction | Open |
| Content Type | Text |
| Resource Type | Article |