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Procédé pour limiter la croissance épitaxiale dans un dispositif photoélectrique à hétérojonctions et un tel dispositif photoélctrique
| Content Provider | Semantic Scholar |
|---|---|
| Author | Damon-Lacoste, J. Ballif, Christophe Monachon, Christian Olibet, Sara |
| Copyright Year | 2008 |
| Abstract | L'invention concerne un procede pour limiter la croissance epitaxiale dans un dispositif photoelectrique a heterojonctions comprenant un substrat de silicium cristallin et au moins une couche de silicium amorphe ou microcristallin, ce procede etant caracterise en ce qu'il comprend une etape de texturation de la surface de silicium cristallin. |
| File Format | PDF HTM / HTML |
| Alternate Webpage(s) | https://patentimages.storage.googleapis.com/01/cf/33/8d99b9492c9db1/EP2159851A1.pdf |
| Language | English |
| Access Restriction | Open |
| Content Type | Text |
| Resource Type | Patent |