Optimización de las propiedades magnéticas y de transporte en multicapas metálicas y heteroestructuras magnéticas diluídas

Content Provider	Semantic Scholar
Author	Sánchez, Rocío Ranchal
Copyright Year	2011
Abstract	Despues de optimizar el sistema Py/Gd, estudiamos el acoplamiento magnetico en estas estructuras. Los resultados muestran dos tipos de acoplamiento dependiendo de la temperatura y del espesor de la capa de Py. Entre 250 y 140 K, el acoplamiento se puede explicar a traves de la interaccion de las paredes de la capa de Py con la imanacion de la capa de Gd. Por debajo de 140 K hemos mostrado que hay procesos magneticos debidos a la interaccion antiferromagnetica Py-Gd. En los ultimos anos, han aparecido un gran numero de investigaciones acerca de los oxidos magneticos diluidos (ZnO, TiO2, HfO2, ...). En estos materiales se dopa un oxido semiconductor con impurezas magneticas para obtener un nuevo material que presente propiedades semiconductoras y ferromagneticas al mismo tiempo. En este trabajo se han ampliado las investigaciones realizadas en este campo hasta el momento, ya que hemos partido de un sistema de electrones altamente correlacionados paramagnetico, el LSTO, que pasa a ferromagnetico a temperatura ambiente al doparlo con una pequena cantidad de Co. En primer lugar mostramos que el sustrato optimo para obtener capas delgadas de Co-LSTO con baja rugosidad es el STO(001). Al no encontrar signos de agregados de Co mayores de 10 nm podemos concluir que el ferromagnetismo del Co-LSTO es de tipo intrinseco. Esta hipotesis esta apoyada por medidas de magnetorresistencia tunel que muestran una polarizacion de espin elevada en este material. Finalmente, hemos encontrado que las condiciones optimas para el crecimiento del Co-LSTO (baja presion de oxigeno) inducen un estado de alta movilidad en el sustrato de STO. Por lo tanto, el Co-LSTO presenta caracteristicas atractivas para su aplicacion en el campo de la esppintronica debido tanto a su ferromagnetismo a temperatura ambiente como a su elevada polarizacion de espin. Es mas, el crecimiento a baja presion de oxigeno del Co-LSTO sobre STO, permite pensar en el desarrollo de un dispositivo en el que se combine un material con una elevada polarizacion de espin con otro de alta movilidad electrica en una heteroestructura formada unicamente por oxidos.
File Format	PDF HTM / HTML
Alternate Webpage(s)	https://eprints.ucm.es/7451/1/T29330.pdf
Language	English
Access Restriction	Open
Content Type	Text
Resource Type	Article