NDLI: Study of the CNT/n-type 4H-SiC interface band alignment by photoelectron spectroscopy using synchrotron radiation

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Study of the CNT/n-type 4H-SiC interface band alignment by photoelectron spectroscopy using synchrotron radiation

Content Provider	Semantic Scholar
Author	Yajima, Takatoshi
Copyright Year	2013
Abstract	[序論] SiC 表面分解によるカーボンナノチューブ(CNT)成長法は,高密度・高配向性の CNT が無触媒で得られる上,CNTが SiCと原子レベルで直接接合を形成しているため,CNT/SiCヘテロ接合が界面層無しに形成されるという特徴を持つ。これまで我々は,高分解能光電子分光法(PES) を用いて,CNT/n-type 6H-SiC 接合界面の電子構造を調べ,ショットキー接合であることを明らかにしてきた[1]。今回,6H-SiC に比べ大きなバンドギャップを有する 4H-SiCを用いて CNT/4H-SiC 接合を作製し,放射光を用いた PES 測定により界面の電子構造について調べた。 [実験] 有機洗浄とHF処理を行った 4H-SiC(000-1)(n-type)基板を真空中で高温加熱し,表面にCNT 膜を形成した試料に対し,PES測定を行った。測定には,(a)CNT 長さ約 2-3 nmおよび,(b)約 10 nm の 2 種類の試料を用いた。PES測定はあいちシンクロトロン光センターBL6N1にて行い,励起光のエネルギーを 1800,2600 eV の 2種類で測定した。 [結果] Fig.1 に試料(b)の C 1s 準位の PES スペクトルを示す。284.5 eV 付近のメインピークと 282.7eV付近のショルダーピークは,それぞれ CNTと SiCに起因する。励起光エネルギー2600eV で測定を行った場合に比べ,1800eV の場合,2つの成分のエネルギー間隔がわずかに広くなっていたが,界面での band bending によるものと考えられる。CNT/SiC 界面のショットキー障壁高さを見積もったところ,CNT/n-type 6H-SiC の場合とほぼ同程度であることがわかった。当日は,電気的特性の測定結果も含めて界面バンドアライメントについて議論する予定である。本研究の一部は,文部科学省科学研究費補助金基盤研究(c)21510119,および,文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム(分子・物質合成プラットフォーム(分子科学研究所))の援助を受けて行われた。 [1] T. Maruyama et al. Appl. Phys. Lett. 101 (2012) 092106. In te n s it y ( a . u .)
File Format	PDF HTM / HTML
Alternate Webpage(s)	https://confit.atlas.jp/guide/event-img/jsap2013a/16p-P7-41/public/pdf?type=in
Language	English
Access Restriction	Open
Content Type	Text
Resource Type	Article

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