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Flexible resistive switching memory with solution-processed silicon-nanocrystal thin film
| Content Provider | Semantic Scholar |
|---|---|
| Author | Kawauchi, Takeshi Kano, Shinya Fujii, Minoru |
| Copyright Year | 2017 |
| Abstract | ウェアラブルデバイスへの搭載を見据えて、フレキシブルメモリの研究が行われている。フレキシブル基板上 に抵抗変化層を塗布して形成する、フレキシブル抵抗変化型メモリ(ReRAM)が特に注目されている。我々はフ レキシブルReRAMの抵抗変化層の候補として、シリコン(Si)ナノ結晶コロイドを塗布した薄膜に着目している。 我々のグループが開発したSiナノ結晶コロイドは、ナノ結晶が溶液中で均一に分散し、ナノ結晶の粒径分散が小 さいという特徴がある[1]。均一なSiナノ結晶塗布薄膜が形成できるため、このSiナノ結晶コロイドは塗布型電 子デバイスの形成に向いている。これまでに我々は、Al/Siナノ結晶塗布薄膜/ITO/ガラス基板の積層構造における、 Siナノ結晶塗布薄膜の抵抗変化現象を報告してきた[2]。本発表では、このSiナノ結晶塗布薄膜をフレキシブル基 板上に成膜し、フレキシブル抵抗変化型メモリを作製したことについて発表する。 RFスパッタリング法とメタルマスクを使用して、ポリイミド薄膜 (膜厚:25 μm)に ITO下部電極を作製した。 次に、大気中でSiナノ結晶コロイドをスピンコートし、Siナノ結晶塗布薄膜を成膜した。最後に、マスク蒸着に よりアルミニウム上部電極を形成し、Al/Siナノ結晶塗布薄膜(膜厚:40 nm)/ITOのクロスバー構造を有するフレ キシブル抵抗変化型メモリを作製した(Figure 1)。このデバイスを 10.5 mmの曲率半径で曲げ、-3.5から3.5 Vの間で印加電圧を掃引したときの電流値をFigure 2に示す。ただし、Al電極側が正極となるように電圧を印加 した。ハードブレークダウンを防ぐために、測定時には電流コンプライアンス(10-6 A)を設定した。デバイスを 曲げた状態において、セット電圧3.4 V、リセット電圧-2.0 Vとなる、バイポーラ型の抵抗変化現象が観察され ている。抵抗変化のオンオフ比は 1~2桁となっている。当日は、平坦な状態と曲げた状態でのメモリ特性の違い について議論する。 [1] H. Sugimoto et al., J. Phys. Chem. C. 117, 6807(2013). [2] 河内剛史, 加納伸也, 藤井稔, 2017年第 64回応用物理学会春季講演会, 16a-419-9. |
| File Format | PDF HTM / HTML |
| Alternate Webpage(s) | https://confit.atlas.jp/guide/event-img/jsap2017a/5p-A202-16/public/pdf?type=in |
| Language | English |
| Access Restriction | Open |
| Content Type | Text |
| Resource Type | Article |
