Loading...
Please wait, while we are loading the content...
Similar Documents
Etude de structures MS et MIS-(n)InP par photoluminescence - Effet du champ électrique -
| Content Provider | Semantic Scholar |
|---|---|
| Author | Ahaitouf, Ali |
| Copyright Year | 1992 |
| Abstract | Le phosphure d'indium (InP) est un semiconducteur compose III-V tres attractif pour des applications dans les domaines de l'optoelectronique, des hyperfrequences et aussi pour la fabrication de circuits integres rapides. Ceci explique l'intense activite de recherche qui s'est developpee autour de ce compose. Le travail presente dans ce memoire concerne l'etude par photoluminescence, en presence d'un champ electrique, de structures metal/semiconducteur (MS) et metal/isolant/semiconducteur (MIS). Des diodes schottky et schottky oxydees ont ete etudiees. La comparaison des caracteristiques de ces deux structures montre que l'oxydation s'accompagne de l'introduction d'etats de surface ou d'interface. Ces defauts peuvent etre a l'origine d'un blocage au moins partiel du niveau de fermi a la surface. En particulier, pour les structures oxydees dans un plasma multipolaire d'oxygene, les mesures de photoluminescence permettent de montrer que la hauteur de la barriere schottky deduite de la caracteristique courant-tension doit etre consideree comme une barriere apparente. Sur des structures MIS ou l'isolant est un oxyde plasma Rf, une etude detaillee de l'intensite de photoluminescence en depletion montre que la vitesse de recombinaison en surface est faible. Pour decrire l'evolution de l'intensite de photoluminescence Ip(Vg) en regime d'accumulation, un modele est propose et discute. Enfin une etude preliminaire sur des structures metal/Bn/InP est presentee |
| File Format | PDF HTM / HTML |
| Alternate Webpage(s) | https://hal.univ-lorraine.fr/tel-01775980/document |
| Language | English |
| Access Restriction | Open |
| Content Type | Text |
| Resource Type | Article |
